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라이다 시스템의 성능을 향상시키는 자동차 등급 eGaN® FET, 80V EPC2214

EPC(Efficient Power Conversion)는 고해상 라이다(Lidar) 시스템에 최적화된 80V 질화갈륨 트랜지스터인 EPC2214를 AEC Q101 제품군에 추가했다.

eGaN(Enhancement-mode Gallium Nitride on Silicon) 전력 FET 및 IC분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion)는 자동차 산업 및 기타 열악한 환경의 라이다(Lidar) 시스템을 위해 설계된 80V EPC2214 트랜지스터에 대한 AEC Q101 인증을 성공적으로 획득했다고 밝혔다. 

eGaN 기술은 자율주행 차량을 위한 라이다(Light Detection and Ranging: Lidar) 및 레이더와 같은 자동차 애플리케이션을 비롯해 데이터 센터 컴퓨터 및 초고화질 인포테인먼트 시스템과 트럭용 고휘도 헤드램프에 사용되는 48V ~ 12V DC-DC 컨버터 분야에서 수십억 시간의 성공적인 현장 경험을 축적하고, 9년 이상 대량생산이 이뤄져 왔다. 또한 이러한 새로운 디바이스들은 엄격한 자동차 등급 AEC Q101 인증 테스트를 통과하면서 혹독한 자동차 환경을 위해 설계된 여러 디스크리트 트랜지스터 및 IC들이 연이어 출시되고 있다. 

초소형 1.8mm2 풋프린트 크기의 정격 47A 펄스 전류를 갖춘 80V, 20mΩ, eGaN FET인 EPC2214는 매우 짧은 펄스 폭으로 고전류를 생성하도록 트리거할 수 있어 라이다 시스템의 레이저 발사에 매우 적합하다. 펄스 폭이 짧으면 해상도가 높아지고, 펄스 전류가 높을수록 라이다 시스템은 더 멀리 있는 물체까지 식별할 수 있다. 이러한 두 가지 특성과 함께 작은 크기와 저가격의 이점을 제공하는 eGaN FET는 까다로운 자동차 애플리케이션의 라이다는 물론, 레이더 및 초음파 센서에 이상적이다.

AEC Q101 테스트를 완료하기 위해 EPC의 eGaN FET는 바이어스(H3TRB) 및 HTRB(High Temperature Reverse Bias), HTGB(High Temperature Gate Bias), TC(Temperature Cycling)를 비롯한 습도 테스트는 물론, 여러 다른 테스트에 대한 엄격한 환경 및 바이어스-스트레스 테스트를 거쳤다. 주목할 점은 EPC의 WLCS 패키징이 기존의 패키지 부품을 위해 개발된 동일한 테스트 표준을 모두 통과했다는 점이다. 이는 칩 스케일 패키징의 뛰어난 성능이 견고성이나 신뢰성을 저해하지 않는다는 점을 입증한 것이다. 이러한 eGaN 디바이스는 자동차 품질관리 시스템 표준인 IATF 16949 인증을 받은 설비에서 생산된다.

EPC의 CEO이자 공동 창업자인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “새로운 자동차 제품은 자율주행을 가능하게 하고 연비와 안전성을 향상시킬 수 있도록 설계된 EPC 트랜지스터와 IC의 지속적인 발전의 결과물이다.”고 말하고, “우리의 eGaN 기술은 오늘날 차량에 사용되고 있는 기존의 실리콘 파워 MOSFET 보다 빠르고, 작고, 효율적이며, 비용은 낮고, 신뢰성은 높다.”고 밝혔다.

EPC 소개
EPC는 2007년 11월에 고급 전력 관리 기술 분야에서 총 60년의 경험을 가진 세 명의 엔지니어에 의해 설립되었습니다. EPC의 CEO인 Alex Lidow는 1970년대 실리콘 전력 MOSFET의 공동 발명가였습니다. R&D 및 제조 직책 외에도 12년 동안 International Rectifier의 CEO였습니다. 시간이 지남에 따라 EPC의 창립자들은 실리콘이 성능 한계에 도달하여 우리가 익숙해진 속도로 혁신을 추진하지 못한다는 사실을 분명히 알게 되었습니다. EPC는 비교할 수 없는 속도, 효율성 및 낮은 비용으로 인해 GaN이 전력 발전에서 실리콘의 필연적인 후계자가 될 것이라는 선견지명으로 설립되었습니다. 실제로 GaN은 실리콘에 비해 1000:1 정도의 성능 이점을 가능하게 하는 우수한 결정 특성을 가지고 있습니다.