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TI, 전력 밀도를 최대화한 혁신적인 3가지 방향성

TI의 신주용이사(FAE)는 “스위칭 주파수를 높이면 전력 밀도를 높일 수 있는 대신에 반대급부로서 스위칭 손실과 그에 따른 온도 상승을 동반한다. 전력 밀도를 이전보다 크게 높이기 위해서는 전력 밀도를 제한하는 모든 요인들을 동시에 해결해야 한다. TI는 10년 넘게 전원과 질화갈륨(GaN) 연구에 투자해 왔으며, 최적의 성능을 달성하기 위한 고전압 스위칭용 솔루션들을 개발해 왔다”라고 전했다.

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