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TI의 질화갈륨(GaN) 기술 및 실시간 MCU, 라이트온 테크놀로지 서버 전원 공급 설계에 적용

텍사스 인스트루먼트(TI)는 라이트온 테크놀로지 (LITEON Technology)가 북미 시장을 위한 최신 고성능 서버 전원 공급 장치(PSU)에 TI의 고집적 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)와 C2000 TM 실시간 마이크로컨트롤러(MCU)를 채택했다고 발표했다. 새롭게 상용화된 PSU는 TI의 LMG3522R030 GaN FET과 TMS320F28003x C2000 실시간 MCU를 활용하여 95W/in³ 이상의 전력 밀도를 제공하며 80 Plus 티타늄 표준을 충족한다.

루크 리(Luke Lee) TI 아시아 총괄 부사장이자 대만, 한국, 남아시아 지역 사장은 “라이트온 테크놀로지와의 협력은 TI가 엔드 투 엔드 시스템 노하우와 특화된 고전압 반도체 포트폴리오를 통해 엔지니어들이 고전압 시스템의 요구에 어떻게 대응하고 지원하는지 보여준다”며, “TI GaN 제품의 강력한 성능과 C2000TM 실시간 MCU를 조합하면 엔지니어들은 더 작고, 안정적인 시스템에 대한 요구 사항을 더 잘 충족할 수 있다”고 말했다.

라이트온 테크놀로지는 전력 관리 솔루션의 세계적인 선두 업체로, 데이터 센터에 매우 효율적인 전원 공급 장치를 제공한다. 존 창(John Chang) 라이트온 테크놀로지의 클라우드 인프라 시스템 및 플랫폼 사업부 사장은 "서버 전원 공급 장치 분야의 선도업체인 라이트온 테크놀로지는 신기술의 도입으로 새롭게 떠오르는 과제에 혁신적인 솔루션으로 대응하고 있다. 고성능 서버는 더 적은 공간에서 더 많은 전력을 요구하기 때문에 높은 전원 출력, 변환 효율성, 소형화된 부품 및 발열 관리가 중요한 과제로 떠오르고 있다. 이런 부분에서 TI의 GaN 기술과 C2000 실시간 MCU가 우리 솔루션에 가장 적합하다고 판단했다"고 말했다.

데이터 센터, 통신 장비 및 다수의 산업용 애플리케이션은 더 큰 전원 공급 장치를 필요로 하고 있으며, 시스템 크기, 무게, 환경에 미치는 영향의 축소 및 비용 절감을 요구하고 있다. 이에 따라 엔지니어는 열 성능을 향상시키는 동시에 동일하거나 더 작은 크기의 폼팩터에서 보다 높은 전력 수준에 도달할 수 있는 새로운 방법을 찾아야 하는 과제를 가지고 있다. 라이트온 테크놀로지는 미래의 전원 공급 장치를 위한 이러한 전력 밀도 문제와 요구 사항을 해결하기 위해 TI GaN 및 C2000 실시간 MCU를 활용하여 유연한 도터 카드 (daughter-card) 설계를 구현한다. 또한 이 설계 방식은 엔지니어가 설계를 다른 전원 공급 장치 요구 사항에 맞게 확장할 수 있어 프로젝트 설계 주기를 단축하는 데 도움을 준다.

라이트온 테크놀로지의 설계 엔지니어들은 TI의 전문가들과 협력하여 전원 루프 및 도터 카드 레이아웃을 최적화했으며, PSU 설계에 GaN 기술의 도입을 가속화했다. 또한, 전력 FET 및 컨트롤러 설계에 대한 TI의 전문 지식을 활용하여 시스템 수준의 포괄적인 검증을 통해 PSU의 신뢰성을 향상했다. TI의 C2000 실시간 MCU 및 GaN의 유연한 고해상도 펄스 폭 변조(PWM) 작동은 엔지니어가 높은 스위칭 주파수, 고급 토폴로지 및 스위칭 체계를 구현하는 데 도움을 준다.

Texas Instruments 소개
세계적인 반도체 업체 텍사스 인스트루먼트(나스닥: TXN)는 산업용, 차량용, 개인용 전자기기, 통신 장비 및 엔터프라이즈 부문의 아날로그 IC 및 임베디드 프로세서를 설계∙제조∙시험∙판매하고 있다. 수십년 동안 TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품을 만들어서 더 나은 세상을 만들고자 하는 기술적 진보 정신에 준해 모든 전자기기에 반도체가 적용될 수 있도록 보다 높은 신뢰성과 효율성을 제공하는 기술 혁신을 거듭해왔다. TI에 대한 보다 자세한 내용은 공식 홈페이지 www.ti.com에서 확인할 수 있다.