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텍사스 인스트루먼트, 전력 밀도를 최대화한 혁신적인 3가지 방향성

TI는 전원 관리 기술 및 관련 솔루션 연구개발에 있어서 오랫동안 축적된 전문성을 바탕으로 프로세스 기술, 회로 아키텍처, 패키징 혁신을 통해서 엔지니어들이 더 적은 열을 발생시키고 열 발산을 향상시키는 전자 장비를 설계할 수 있도록 돕고 있다. 

이번에 새롭게 출시된 3 개의 전원 관리 디바이스는 높은 전력 밀도를 제공하는 동기 벅 컨버터, 피크 전류가 가장 높은 통합 eFuse, 상단면 냉각 패키지 디자인을 적용한 GaN FET이다. TI의 최신 제품을 통해 축소된 시스템 공간에서 이전에 가능하지 않던 수준의 전력 밀도를 달성하고 시스템 비용은 유지하되, 시스템 열 관리 기능을 업그레이드하고 시스템 견고성을 높일 수 있다.

6A ECO 모드 동기 벅 컨버터

TI의 TPS566242는 높은 전력 밀도를 달성하는 동기 벅 컨버터로, 3V~16V 입력 전압과 최대 6A 연속 전류를 지원한다. SOT-563(DRL) 패키지를 적용한 업계 최초의 6A 디바이스이며, 크기가 1.6mm x 1.6mm에 불과하다. 새로운 프로세스 노드를 적용해서 핀 레이아웃을 최적화하고 여러 기능을 통합하고 추가적인 접지 배선을 제공하여 PCB의 열 발산을 향상시킨다. TPS566242는 광대역 모니터링, 데이터 센터, 분산 전원 시스템에 사용하기에 적합하다. 

300A 이상의 보호 기능 달성한 eFuse

디자이너들은 일반적으로 고전류 엔터프라이즈 애플리케이션을 보호하기 위해서 신뢰성이 우수한 디스크리트 핫스왑 컨트롤러를 사용했다. 하지만 최종 장비 제조사들과 이들의 고객들이 300A 이상의 많은 전류를 필요로 하는 서버 전원장치(PSU)와 같은 애플리케이션을 요구하기 때문에 디스크리트 전원 디자인 크기가 지나치게 커질 수도 있다.

TPS25985 eFuse는 0.59mΩ FET에 전류 감지와 모니터링 기능을 통합한 제품으로, 정확하고 빠른 전류 감지와 새로운 능동 전류 공유 접근법을 결합함으로써 높은 전류 공유 및 정확한 전류 모니터링 기능으로 온도 관리가 가능하고 시스템 견고성을 높인다.

상단면 냉각 GaN FET 

TI의 LMG3522R030-Q1은 업계 최초로 게이트 드라이버를 통합하고 상단면 냉각 패키지를 적용한 디자인으로 더 높은 효율과 전력 밀도를 달성한다. LMG3522R030-Q1은 서버, 데이터 센터, 통신 장비, 산업용 애플리케이션의 2~5kW 전원 공급 디바이스에 적합하다. 우수한 열 성능을 달성하고, 과열 및 저전압 록아웃 보호 기능을 제공한다.

TI의 신주용이사(FAE)는 “스위칭 주파수를 높이면 전력 밀도를 높일 수 있는 대신에 반대급부로서 스위칭 손실과 그에 따른 온도 상승을 동반한다. 전력 밀도를 이전보다 크게 높이기 위해서는 전력 밀도를 제한하는 모든 요인들을 동시에 해결해야 한다. TI는 10년 넘게 전원과 질화갈륨(GaN) 연구에 투자해 왔으며, 최적의 성능을 달성하기 위한 고전압 스위칭용 솔루션들을 개발해 왔다”라고 전했다.

Texas Instruments 소개
세계적인 반도체 업체 텍사스 인스트루먼트(나스닥: TXN)는 산업용, 차량용, 개인용 전자기기, 통신 장비 및 엔터프라이즈 부문의 아날로그 IC 및 임베디드 프로세서를 설계∙제조∙시험∙판매하고 있다. 수십년 동안 TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품을 만들어서 더 나은 세상을 만들고자 하는 기술적 진보 정신에 준해 모든 전자기기에 반도체가 적용될 수 있도록 보다 높은 신뢰성과 효율성을 제공하는 기술 혁신을 거듭해왔다. TI에 대한 보다 자세한 내용은 공식 홈페이지 www.ti.com에서 확인할 수 있다.