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비쉐이 인터테크놀로지, 스위칭 전력 설계의 효율성과 신뢰성를 향상시키는 3세대 650V SiC 쇼트키 다이오드

비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology)가 3세대 650V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 신제품 17종을 출시했습니다. Merged PIN 쇼트키(MPS) 설계를 특징으로 하는 비쉐이 반도체의 이 소자들은 높은 서지 전류 견고성과 낮은 순방향 전압 강하, capacitive충전 및 역방향 누설 전류를 결합해 스위칭 전력 설계의 효율성과 신뢰성를 높입니다. 

이번에 출시된 차세대 SiC 다이오드 TO-22OAC 2L 및 TO-247AD 3L through-hole과 D²PAK 2L(TO-263AB 2L) 표면 실장 패키지 로 4A에서 40A devices로 구성되어 있습니다. MPS 구조는 이전 세대 솔루션에 비해 순방향 전압 강하를 0.3V 줄였으며 순방향 전압 강하 시간의 capacitive 충전- 전력 효율의 핵심 성능 지수(FOM) - 은 17% 더 낮습니다. 

다이오드의 일반적인 역방향 누설 전류는 가장 유사한 경쟁 솔루션보다 실온에서 30%,고온에서 70% 낮습니다. 이로 인해 전도 손실을 줄여줌으로써 경부하 및 idling 중에 높은 시스템 효율을 보장합니다. 초고속 다이오드와 달리 이번에 출시된 3세대 소자들은 recovery tail이 거의 없어 효율성이 더욱 향상됩니다. 

비슷한 항복 전압을 가진 실리콘 다이오드에 비해 SiC 소자들은 더 높은 열전도율, 더 낮은 역전류, 더 짧은 역회복 시간을 제공합니다.. 다이오드의 역회복 시간은 온도에 거의 영향을 받지 않으므로 스위칭 손실로 인한 전력 효율의 변화 없이 +175(C)까지 더 높은 온도에서 동작 할수 있습니다. 

이 소자들은 일반적으로 에너지 generation 및 exploration 제품에 장착되는FBPS 및 LLC 컨버터의 AC/DC PFC 및 DC/DC 초고주파 출력 정류 등에 적용됩니다. 

높은 신뢰성을 제공하는 RoHS 준수 및 할로겐 프리 다이오드는 2,000시간의 고온 역바이어스(HTRB) 테스트와 2,000시간의 온도 사이클링 테스트를 통과했습니다. 이는 AEC-Q101 요구 사항의 테스트 시간 및 주기의 두 배에 달하는 수치입니다. 

이 SiC 다이오드는 현재 샘플 및 양산용으로 구매가 가능하며 납기는 8주 입니다. 

Vishay Intertechnology 소개
비쉐이는 자동차, 산업, 컴퓨팅, 소비자, 통신, 군사, 항공 우주 및 의료 시장의 혁신적인 설계에 필수적인 개별 반도체 및 수동 전자 부품의 세계 최대 포트폴리오들을 제조합니다. 전 세계 고객사들에게 서비스를 제공하는 비쉐이는 The DNA of tech.™ 의 모토를 지향합니다. 비쉐이 인터테크놀로지는 VSH 코드로 뉴욕 증권거래소에 상장된 포춘 1,000 선정 회사입니다. 회사에 대한 상세 내용은 www.Vishay.com 을 참조 바랍니다.