Vishay, 동급 최고의 RDS(ON)를 제공하는 소스 플립 기술이 적용된 30V N채널 MOSFET
글/반도체네트워크 편집부 2024.02.17
Vishay는 오늘 산업, 컴퓨터, 소비자 및 통신 애플리케이션을 위해 향상된 전력 밀도와 향상된 열 성능을 제공하는 다용도의 새로운 30V n-채널 TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET을 선보였다. 3.3mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-F 패키지에 소스 플립 기술을 탑재한 Vishay Siliconix SiSD5300DN은 10V 및 42M ω*nC의 온-저항 시간 게이트 충전에서 클래스 최고의 성능을 제공한다.
PowerPAK 1212-8S와 동일한 설치 공간을 차지하고 있는 오늘 출시된 디바이스는 18% 낮은 온 저항을 제공하여 전력 밀도를 높이는 반면 소스 플립 기술은 63°C/W에서 56°C/W로 열 저항을 줄인다. 또한 SiSD5300DN의 FOM은 이전 세대 디바이스에 비해 35% 향상된 성능을 나타내며, 이는 전력 변환 응용 프로그램에서 에너지를 절약하기 위한 전도 감소 및 스위칭 손실로 이어진다.
PowerPAK 1212-F 소스 플립 기술은 접지 및 소스 패드의 일반적인 비율을 반대로 하여 접지 패드의 면적을 확장하여 보다 효율적인 열 방출 경로를 제공하고 따라서 냉각기 작동을 촉진한다. 동시에 PowerPAK 1212-F는 스위칭 영역의 범위를 최소화하여 트레이스 노이즈의 영향을 줄이는데 도움이 된다. 특히 PowerPAK 1212-F 패키지에서 소스 패드 치수는 0.36mm²에서 4.13mm²로 10배 증가하여 열 성능에 상응하는 개선이 가능하다. PowerPAK 1212-F의 센터 게이트 설계는 또한 단일 레이어 PCB에서 여러 디바이스의 병렬화를 단순화한다.
SiSD5300DN의 소스 플립 PowerPAK 1212-F 패키지는 2차 정류, 능동 클램프 배터리 관리 시스템(BMS), 벅 및 BLDC 컨버터, OR-ing FET, 모터 드라이브 및 로드 스위치와 같은 용도에 특히 적합하다. 일반적인 최종 제품에는 용접 장비 및 전동 공구, 서버, 에지 디바이스, 슈퍼 컴퓨터 및 태블릿, 잔디 깎는 기계 및 청소 로봇, 무선 기지국 등이 포함된다.
이 디바이스는 100% RG 및 UIS 테스트, RoHS 준수 및 할로겐이 없다.
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