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Visay Intertechnology, 로프로파일 파워-PAK®의 600 VEF 시리즈 고속 바디 다이오드 MOSFET

Vishay Intertechnology는 로우 프로파일 Power-PAK® 10 x 12 패키지에 새로운 4세대 600 V EF Series 고속 차체 다이오드 MOSFET를 도입했다. 통신, 산업 및 컴퓨팅 애플리케이션에 높은 효율성과 전력 밀도를 제공하는 Vishay Siliconix n 채널 SiHK045N60EF는 이전 세대 장치에 비해 저항이 29% 더 낮으며 게이트 충전은 60% 더 낮다. 따라서 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 600V MOSFET의 핵심 장점(FOM)인 동급의 장치에 대한 온저항 시간 게이트 충전이 업계에서 가장 낮다.

Visay는 고전압 입력에서 최신 첨단 장비에 전원을 공급하는 데 필요한 저전압 출력에 이르기까지 전력 변환 프로세스의 모든 단계를 지원하는 광범위한 MOSFET 기술을 제공한다. SiHK045N60EF 및 4세대 600 VEF 시리즈 제품군의 기타 장치를 통해 이 회사는 전력 시스템 아키텍처의 첫 번째 단계인 토템-폴 브리지리스 역률 보정(PFC)과 후속 DC/DC 컨버터 블록의 효율성 및 전력 밀도 향상의 필요성을 해결하고 있다. 일반적인 응용 분야로는 에지 컴퓨팅 및 데이터 저장, UPS, 고밀도 방전(HID) 램프 및 형광 밸러스트 조명, 태양광 인버터, 용접 장비, 유도 가열, 모터 드라이브 및 배터리 충전기가 있다.

Vishay의 최신 에너지 효율적인 E 시리즈 초접합 기술을 기반으로 제작된 SiHK045N60EF는 10V에서 0.045Ω의 낮은 전형적인 온저항이 Power-PAK 8 x 8 패키지의 장치보다 27% 낮다. 그 결과 애플리케이션의 전력 정격이 3kW 이상으로 높아졌으며, 장치의 낮은 2.3mm 프로필은 전력 밀도를 높였다. 또한, MOSFET는 70nC까지 매우 낮은 게이트 전하를 제공한다. 결과적으로 3.15Ω*nC의 FOM은 같은 등급에서 가장 근접하게 경쟁하는 MOSFET보다 2.27% 낮으며, 이는 에너지를 절약하고 효율성을 높이기 위해 전도 및 스위칭 손실을 감소시키는 것으로 해석된다. 이를 통해 장치는 서버 전원 공급 장치의 특정 티타늄 효율성 요구사항을 해결하거나 통신 전원 공급 장치의 최고 효율 98%에 도달할 수 있다.

LLC 공진 변환기와 같은 제로 전압 스위칭(ZVS) 토폴로지에서의 스위칭 성능 향상을 위해, SiHK045N60EF는 각각 171pf와 1069pF의 낮은 유효 출력 용량 Co(er)와 Co(tr)를 제공한다. 이 장치의 Co(tr)는 같은 등급의 가장 근접한 경쟁 MOSFET보다 8.79% 낮으며, 고속 바디 다이오드는 0.8μC의 낮은 Qr을 제공하여 브리지 토폴로지의 신뢰성을 높인다. 또한 최대 접합 대 케이스 열저항 정격은 0.45 °C/W이며, MOSFET의 Power-PAK 10 x 12 패키지는 모든 표면 장착 패키지 중 최고의 열 성능을 제공한다. Power-PAK 8 x 8의 장치에 비해 SiHK045N60EF는 31% 낮은 열 임피던스를 제공한다.

100% UIS 테스트를 통해 보장된 한계로 아발란치 모드에서 과전압 과도현상을 견딜 수 있도록 설계된 MOSFET는 오늘 출시된 RoHS 호환, 할로겐 프리, 비세이 그린이다.

SiHK045N60EF의 샘플과 생산 수량이 지금 가능하다.

Vishay Intertechnology 소개
비쉐이는 자동차, 산업, 컴퓨팅, 소비자, 통신, 군사, 항공 우주 및 의료 시장의 혁신적인 설계에 필수적인 개별 반도체 및 수동 전자 부품의 세계 최대 포트폴리오들을 제조합니다. 전 세계 고객사들에게 서비스를 제공하는 비쉐이는 The DNA of tech.™ 의 모토를 지향합니다. 비쉐이 인터테크놀로지는 VSH 코드로 뉴욕 증권거래소에 상장된 포춘 1,000 선정 회사입니다. 회사에 대한 상세 내용은 www.Vishay.com 을 참조 바랍니다.