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Vishay, 업계 최저 RDS(ON)*Qg FOM 제공하는 600V E-시리즈 전력 MOSFET

글/반도체네트워크 편집부 2024.05.04

Vishay Intertechnology는 새로운 PowerPAK® 8 x 8LR 패키지의 최초 4세대 600V E 시리즈 전력 MOSFET을 출시했습니다. 이전 세대 장치와 비교하여 Vishay Siliconix n채널 SiHR080N60E는 온 저항을 27% 줄이고 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 600V MOSFET의 핵심 성능 지수(FOM)인 저항 시간 게이트 전하를 60% 줄입니다. D²PAK 패키지의 장치보다 작은 설치 공간에서 더 높은 전류를 제공합니다.

Vishay는 최신 하이테크 장비에 전력을 공급하는 데 필요한 고전압 입력부터 저전압 출력까지 전력 변환 프로세스의 모든 단계를 지원하는 광범위한 MOSFET 기술 라인을 제공합니다. 4세대 600 V E 시리즈 제품군의 SiHR080N60E 및 기타 장치를 통해 회사는 전력 시스템 아키텍처의 첫 번째 단계 중 두 가지인 역률 보정(PFC) 및 후속 DC/C에서 효율성과 전력 밀도 개선에 대한 요구를 해결하고 있습니다. 일반적인 애플리케이션에는 서버, 엣지 컴퓨팅, 슈퍼 컴퓨터 및 데이터 스토리지, UPS, HID(고강도 방전) 램프 및 형광 밸러스트 조명, 통신 SMPS, 태양광 인버터, 용접 장비, 유도 가열, 모터 드라이브 및 배터리 충전기가 포함됩니다.

10.42mm x 8mm x 1.65mm 크기의 SiHR080N60E의 소형 PowerPAK 8 x 8LR 패키지는 D²PAK보다 설치 공간이 50.8% 더 작고 높이는 66% 더 낮습니다. 상단 냉각 덕분에 패키지는 접합부-케이스(드레인) 열 저항이 0.25°C/W로 매우 낮아 탁월한 열 성능을 제공합니다. 이를 통해 동일한 온저항 수준에서 D²PAK보다 46% 더 높은 전류를 허용하여 전력 밀도를 대폭 높일 수 있습니다. 또한 패키지의 걸윙 리드는 탁월한 온도 주기 성능을 제공합니다.

Vishay의 에너지 효율적인 최신 E 시리즈 초접합 기술을 기반으로 구축된 SiHR080N60E는 10V에서 0.074Ω의 낮은 일반 온 저항과 최저 42nC의 초저 게이트 전하를 특징으로 합니다. 결과적인 FOM은 업계 최저인 3.1Ω*nC로, 이는 전도 및 스위칭 손실을 줄여 2kW 이상의 전력 시스템에서 에너지를 절약하고 효율성을 높이는 것을 의미합니다. PFC, 하프 브리지, 2스위치 순방향 설계와 같은 하드 스위치 토폴로지에서 향상된 스위칭 성능을 위해 오늘 출시된 MOSFET은 79pF 및 499pF의 낮은 일반 유효 출력 정전 용량 Co(er) 및 Co(tr)를 제공합니다. 각기. 또한 이 패키지는 향상된 스위칭 효율성을 위해 Kelvin 연결을 제공합니다.

이 장치는 RoHS 규격을 준수하고 할로겐이 없으며 100% UIS 테스트를 통해 보장된 제한을 통해 애벌런치 모드에서 과전압 과도 현상을 견디도록 설계되었습니다.

SiHR080N60E의 샘플과 양산 수량은 현재 이용 가능하다. 

Vishay Intertechnology 소개
비쉐이는 자동차, 산업, 컴퓨팅, 소비자, 통신, 군사, 항공 우주 및 의료 시장의 혁신적인 설계에 필수적인 개별 반도체 및 수동 전자 부품의 세계 최대 포트폴리오들을 제조합니다. 전 세계 고객사들에게 서비스를 제공하는 비쉐이는 The DNA of tech.™ 의 모토를 지향합니다. 비쉐이 인터테크놀로지는 VSH 코드로 뉴욕 증권거래소에 상장된 포춘 1,000 선정 회사입니다. 회사에 대한 상세 내용은 www.Vishay.com 을 참조 바랍니다.