로옴 제4세대 SiC MOSFET 소개
로옴이 2020년에 개발을 완료한 제4세대 SiC MOSFET는 단락 내량 시간을 손상시키지 않고, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 디바이스로, 현재 베어 칩과 디스크리트 패키지로 제품을 전개하고 있습니다. 차량용 인버터 및 각종 스위칭 전원을 비롯하여 다양한 어플리케이션의 극적인 소형화 및 저소비전력화에 기여합니다.
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